domingo, 25 de julio de 2010

LÁSERS EN ARCO C.






Con el visor de luz láser LAP puede ajustar el arco en C sin encender la radioscopia. De este modo, se reduce eficazmente la carga de radiación para el paciente, el médico y el personal de servicio.

El visor de luz láser proyecta una cruz, que representa el recorrido del rayo central independientemente de la distancia del amplificador de la imagen para la superficie de la piel. Puede reequiparse en cada arco en C. Para ello se coloca una banda de acero fino alrededor del amplificador de la imagen.


LAP CBX Laser funciona con baterías. Para ello no se necesita otro cable de corriente para el arco en C. El cambio de batería puede realizarse en aprox. 10 sg. porque sólo debe abrirse la tapa superior con cierre de bayoneta. El láser se inicia al pulsar un botón y se apaga con un interruptor automático. Gracias a la desconexión automática se aumenta la vida útil.
Los visores de luz láser LAP CBX pueden fijarse a todo tipo de arcos en C. La instalación se realiza por medio de una banda de acero, que se coloca alrededor de la carcasa.




Tipo de láser:
longitud de onda Diodo, 635 nm, rojo
Rendimiento del láser <>
Ancho de línea <>
Categoría láser 2
Alimentación de corriente Batería, 1 × 1,5 V (C, LR14, E93, AM2)

Nombre: Jhusep F. Vásquez M.
Electronica del estado solido
Seccion: 2

Cómo funciona el láser semiconductor

Partimos de un Diodo Emisor de Luz (LED) como los que estáis hartos de ver en los pilotitos de encendido de los aparatos eléctricos. Estos materiales semiconductores emiten luz pero la emiten en todas direcciones y, aunque el espectro de frecuencias emitido es más o menos preciso, no es ni mucho menos una única frecuencia. A partir de aquí, el sistema funciona por descartes: tenemos que eliminar los fotones que no tienen la frecuencia adecuada o la dirección adecuada.
Así es como lo hacemos: A la zona activa del diodo que produce luz le damos forma de tubo muy fino en la dirección deseada. La longitud es seleccionada cuidadosamente de forma que sea un múltiplo de la longitud de onda deseada (inversamente proporcional a la frecuencia), y en los extremos ponemos materiales que actúan como medio-espejos, permitiendo pasar algunos fotones y haciendo rebotar a otros. Debido a esta configuración, los fotones que llevan la dirección adecuada y la frecuencia adecuada tienen a quedar atrapados en la estructura durante unos cuantos rebotes, entrando en resonancia (al final terminan escapando porque nosotros así lo queremos, por eso no hemos puesto espejos perfectos en los extremos). Los demás se perderán si no llevan la dirección adecuada, o se cancelarán unos a otros si van en la dirección corrrecta pero no tienen la frecuencia adecuada.
La gracia es que el material semiconductor excitado, que normalmente produciría fotones en un rango elevado de direcciones y frecuencias, cuando pasa por allí otro fotón tiende a producir un fotón de las mismas características que éste. Puesto que nuestra estructura favorece que los fotones que nos interesan queden atrapados y los demás se pierdan, esto hace que los que nos interesan se reproduzcan como conejos (bueno, esta es una frase hecha, lógicamente se reproducen mucho más deprisa que los conejos). Al principio son poquísimos pero su porcentaje con respecto a los de otras direcciones o frecuencias crece casi exponencialmente. En muy poco tiempo (milisegundos), prácticamente ya sólo se están produciendo fotones con la frecuencia y dirección que nos interesa. ¿Y cómo los sacamos? Pues salen solos. Porque recordad que lo que pusimos en los extremos del tubo no son espejos perfectos. Algunos fotones rebotan y siguen dentro "reproduciéndose", y otros salen en forma de rayo láser.
Nombre: Jhusep F. Vásquez M.
Electronica del estado solido
Seccion: 2

El láser cumple cincuenta años

En El año 2010 tiene lugar la conmemoración del descubrimiento del láser, amplificación de luz por emisión estimulada de radiación. El láser es un dispositivo que utiliza un efecto de la mecánica cuántica y relativista, la emisión inducida o estimulada para generar un rayo de luz coherente de un medio adecuado y con el tamaño, la forma y la pureza controlados. Pero el láser tuvo un predecesor, el máser, amplificador de microondas por la emisión estimulada de radiación.

Para entender el funcionamiento de ambos dispositivos conviene remontarse a 1905-1916, años en los que Einstein siguiendo la estela de las investigaciones de Maxwell, Hertz, Kirchhoff, Planck y Boltzmann propuso una descripción matemática que explicaba que la emisión de electrones se producía por la absorción de cuantos de luz, con posterioridad denominados fotones. Bien es verdad que el físico alemán tenía muy presente el aspecto corpuscular del fotón, su faceta de molécula eléctrica; ésta partícula fundamental carente de masa surge en la materia e interactúa con átomos y partículas atómicas, con los gases y los sólidos. Einstein demostró que la energía con que los electrones escapaban del material aumentaba linealmente con la frecuencia de luz incidente. R.A. Millikan, en principio renuente a creer la teoría de Einstein, verificó años después en el laboratorio que éste tenía razón.

Un año decisivo de progreso de la física fue 1916, no sólo por el genio del alemán sino por la confluencia de los trabajos de Rutherford, Planck, Bohr y el grupo ilustre de teóricos y empíricos de la mecánica cuántica de ese momento. Ese año Albert Einstein espoleado por los hallazgos del danés Bohr formula un experimento mental mediante el cual traslada la radiación emitida por los osciladores del cuerpo negro de Kirchhoff-Planck a un cuerpo gaseoso o sólido con sus átomos y electrones. Einstein se mostró firme al descartar el electrón libre como el agente principal de la teoría de Planck y apostó con éxito por el atomismo implícito en el postulado planckiano, cuantos de acción/fotones actuando en una sopa de átomos y ondas con diferentes frecuencias y amplitudes, materia que surge en la franja de la luz visible del espectro electromagnético. El experimento mental consideraba que si se hacía incidir uno, dos o más fotones en ese cuerpo previamente excitado éste aumentaba su energía. Einstein supuso que si la nube de átomos y electrones excitados de un gas o un sólido se estimulaba con un rayo de luz con una frecuencia determinada, un número de electrones suficiente vibraría con la misma frecuencia del rayo incidente, la radiación que emite el campo tiende al equilibrio y facilita la coherencia, y con ésta, grupos de fotones interactúan con la sopa de átomos con frecuencias idénticas.
Pero Einstein siempre defendió la invariancia de ciertas leyes de la naturaleza, el hecho de que la luz visible se mostrase discontinua no falsaba las líneas maestras de la teoría relativista. El físico alemán enseñaba la tecnología de la luz, su propuesta implicaba manipular las propiedades de las ondas y la direccionalidad de una nube de átomos, fotones y electrones todos vibrando de un modo uniforme y produciendo el efecto cascada. Tanto el máser de Charles H. Townes como esquemas parecidos de J. Weber y de N. Basov y A. Prokhorov estaban basados en el concepto de emisión estimulada propuesto por Einstein: si una onda electromagnética con la frecuencia adecuada incide sobre una molécula o un átomo previamente excitados, éstos, en vez de absorber la energía de la onda emiten radiación de esa misma frecuencia.
En los cincuenta del siglo pasado Charles H. Townes creó un aparato emisor de microondas (máser), pero sin recurrir a los circuitos electrónicos sino a la química, que contenía amoníaco cuyas moléculas vibraban millones de veces por segundo agitadas con la estimulación electromagnética apropiada. El amoníaco es un compuesto químico cuya molécula consiste en un átomo de nitrógeno (N) y tres átomos de hidrógeno (H) de acuerdo a la fórmula NH3. A temperatura ambiente es un gas incoloro de olor muy penetrante y nauseabundo. El aparato diseñado por Townes y su equipo funcionaba lanzando un haz de moléculas agitadas de amoníaco dentro de una cavidad resonante observándose que el compuesto químico radiaba microondas. Tal vez lo remarcable del invento no fue la potencia de la energía emitida medida en vatios, que no fue mucha, sino que la energía se concentraba en una línea muy fina de la emisión del espectro dibujando el trazo uniforme de una onda sin apenas interferencia con las otras ondas del entorno.
Se considera a Townes y Arthur Schawlow los inventores del láser, el cual patentaron en 1960. Dos años después Robert Hall inventó el láser semiconductor. El paso del máser al láser se produjo cuando Ch. H. Townes y Arthur Schawlow idearon un máser que emitía luz visible; a diferencia de la luz que radia el sol o una bombilla, el láser emite un solo color, ya sea verde, azul o rojo dependiendo del material o gas que se use. El láser produce un chorro de luz muy estrecho y casi sin dispersión angular permitiendo concentrar su energía en un punto.
Nombre: Jhusep F. Vásquez M.
Electronica del estado solido
Seccion: 2

domingo, 27 de junio de 2010

Zigzag slabs for solid-state laser amplifiers: batch fabrication and parasitic oscillation suppression

Applications such as gravitational-wave detectionrequire high-average-power laser sources with ahigh degree of spectral and spatial coherence. Forexample, the proposed Advanced Laser InterferometerGravitational Wave Observatory (LIGO)requires a 200 W, single-longitudinal-mode, singletransverse-mode Nd:YAG laser as compared with the10 Wlaser used continually on site since 1997.1,2 Severalapproaches to meet this requirement are beinginvestigated. Traditional rod-based injection-lockedlasers operate at 114 W.3 Thermal lensing and stressinducedbirefringence present challenges to theirpower scaling. Large-core double-clad fiber amplifierbasedsources have reached 264 W of output power.4However, their phase noise, pointing stability, andlong-term reliability have to be characterized withrespect to the demanding LIGO requirements. Wehave investigated a master oscillator power amplifier(MOPA) approach based on end-pumped zigzag slabamplifiers to take advantage of the well-knownpower scaling of slab lasers and the reliability andcoherence-preserving properties of power amplification.In addition to scientific applications, commercialapplications also motivate several approaches forscaling solid-state lasers to high average powers.For example, active mirror slab lasers also knownas thin-disk lasers, first invented by Martin andChernoch5 and extensively developed by Giesen andcolleagues,6,7 have reached the 1 kW class in multipletransverse modes. Power scaling is difficult becauseof their one-sided cooling and the practicalaspects to operate at a thickness below 100 m. Thezigzag, rectilinear geometry, slab-based5 MOPA systemcan scale to higher average powers while maintaininga high beam quality. The slab lasers arecooled symmetrically on both sides and their averagepower output scales with the cooled area. The nearlyone-dimensional thermal gradients and the zigzagoptical path of slab laser gain media significantlyreduce thermal lensing and stress-induced birefringencecompared with traditional rod-based designs.8,9Early zigzag slab laser designs had low efficienciesdue to flashlamp pumping. Residual phase distortionsand a complex direct water-cooled laser headadded to the engineering challenges.10 Most of theseengineering problems have now been solved by laserdiode pumping through the end11 and edge12 ofconduction-cooled zigzag slabs.13 Nd:YAG zigzag slablasers now operate at multikilowatt output powerswith good beam quality.

Optical bistability in diode-laser amplifiers and injection-locked laser diodes

Optical bistability (OB) in semiconductor lasers andin resonant-type laser amplifiers has attracted muchattention recently because of its potential applicationin optical computing and optical communicationnetworks. When a semiconductor laser, biased justbelow threshold, is operated as an optical amplifier,dispersive OB has been demonstrated.'1-4 On theother hand, OB has also been found recently in opticallyinjection-locked semiconductor lasers.5 ' Thesephenomena have been theoretically explained eitherwhen a laser amplifier operates below threshold 3'4or when an injection-locked laser works abovethreshold.5',7 Quite different physical images havehitherto been considered for these two cases. Sincethere is no discontinuity at the threshold of asemiconductor laser, the OB should be continuousfrom below to above threshold. However, a unifiedtreatment has not yet been found. In this Letter wepresent our experimental measurement on the OBproperties of a distributed-feedback semiconductorlaser biased from below to above threshold.The experimental setup is described as follows.Two identical distributed-feedback laser diodes withan emission wavelength of 1554 nm are used. Thefirst laser (master), biased at three times its threshold,is used to generate the signal light, and its outputis injected into the second laser (slave) that worksas an OB element; both lasers have one facet antireflectioncoated and the other facet cleaved. Eachlaser used is isolated from external reflection with adouble-section Faraday optical isolator that providesmore than 70 dB of isolation. A monochromator anda scanning Fabry-Perot interferometer are used forrough and fine measurement of the optical spectrum.Frequency matching and detuning between the twolasers is accomplished by adjusting the heat-sinktemperature of the master laser. The injected opticalpower into the slave laser can be evaluated asfollows: first, measure the linewidth-enhancementfactor a of the slave laser by using the injectionlockingmethod8 ; with this ae value known, the injectedoptical power can then be obtained throughthe measured injection-locking bandwidth when theslave laser is biased above threshold.9 At each biaslevel of the slave laser and with a definite opticalpower injected from the master, a bistable outputfrom the slave laser can be obtained versus the signalfrequency detuning. As an example, the squares inFig. 1 give the measured bistable loop width versusthe relative bias level of the slave laser from belowto above threshold while the injected optical power iskept at approximately -23 dBm. Below threshold,the OB loop increases its width with the increaseof the bias level, while at above threshold, the loopwidth decreases with the bias level. The maximumOB loop width is obtained, in our case, at -1.03 timesthe free-running laser threshold, and this value is, ingeneral, dependent on the amount of injected opticalpower.In order to simulate the OB operation, a unifiedtreatment is obviously necessary, which allows oneto consider the laser biased from below to abovethreshold. Our theoretical analysis is based on therate-equation model of Lang

Fig. 1. Measured bistable loop width versus the normalizedinjection current with the optical injection levelat approximately -23 dBm (squares) together with thecalculated results with an injected optical power Pi. of-25 dBm (short-dashed curve), -23 dBm (solid curve),and -21 dBm (long-dashed curve). Ith is the free-runinglaser threshold.

Fig. 1. Measured bistable loop width versus the normalizedinjection current with the optical injection levelat approximately -23 dBm (squares) together with thecalculated results with an injected optical power Pi. of-25 dBm (short-dashed curve), -23 dBm (solid curve),and -21 dBm (long-dashed curve). Ith is the free-runinglaser threshold.

Semiconductor optical amplifier (SOA)

Semiconductor optical amplifiers are amplifiers which use a semiconductor to provide the gain medium.[3] These amplifiers have a similar structure to Fabry–Pérot laser diodes but with anti-reflection design elements at the endfaces. Recent designs include anti-reflective coatings and tilted waveguide and window regions which can reduce endface reflection to less than 0.001%. Since this creates a loss of power from the cavity which is greater than the gain it prevents the amplifier from acting as a laser.
Semiconductor optical amplifiers are typically made from group III-V compound semiconductors such as GaAs/AlGaAs, InP/InGaAs, InP/InGaAsP and InP/InAlGaAs, though any direct band gap semiconductors such as II-VI could conceivably be used. Such amplifiers are often used in telecommunication systems in the form of fibre-pigtailed components, operating at signal wavelengths between 0.85 µm and 1.6 µm and generating gains of up to 30 dB.
The semiconductor optical amplifier is of small size and electrically pumped. It can be potentially less expensive than the EDFA and can be integrated with semiconductor lasers, modulators, etc. However, the performance is still not comparable with the EDFA. The SOA has higher noise, lower gain, moderate polarization dependence and high nonlinearity with fast transient time. This originates from the short nanosecond or less upper state lifetime, so that the gain reacts rapidly to changes of pump or signal power and the changes of gain also cause phase changes which can distort the signals. This nonlinearity presents the most severe problem for optical communication applications. However it provides the possibility for gain in different wavelength regions from the EDFA. "Linear optical amplifiers" using gain-clamping techniques have been developed.
High optical nonlinearity makes semiconductor amplifiers attractive for all optical signal processing like all-optical switching and wavelength conversion. There has been much research on semiconductor optical amplifiers as elements for optical signal processing, wavelength conversion, clock recovery, signal demultiplexing, and pattern recognition.
[edit] Vertical-cavity SOAA recent addition to the SOA family is the vertical-cavity SOA (VCSOA). These devices are similar in structure to, and share many features with, vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The major difference when comparing VCSOAs and VCSELs is the reduced mirror reflectivities used in the amplifier cavity. With VCSOAs, reduced feedback is necessary to prevent the device from reaching lasing threshold. Due to the extremely short cavity length, and correspondingly thin gain medium, these devices exhibit very low single-pass gain (typically on the order of a few percent) and also a very large free spectral range (FSR). The small single-pass gain requires relatively high mirror reflectivities to boost the total signal gain. In addition to boosting the total signal gain, the use of the resonant cavity structure results in a very narrow gain bandwidth; coupled with the large FSR of the optical cavity, this effectively limits operation of the VCSOA to single-channel amplification. Thus, VCSOAs can be seen as amplifying filters.
Given their vertical-cavity geometry, VCSOAs are resonant cavity optical amplifiers that operate with the input/output signal entering/exiting normal to the wafer surface. In addition to their small size, the surface normal operation of VCSOAs leads to a number of advantages, including low power consumption, low noise figure, polarization insensitive gain, and the ability to fabricate high fill factor two-dimensional arrays on a single semiconductor chip. These devices are still in the early stages of research, though promising preamplifier results have been demonstrated. Further extensions to VCSOA technology are the demonstration of wavelength tunable devices. These MEMS-tunable vertical-cavity SOAs utilize a microelectromechanical systems (MEMS) based tuning mechanism for wide and continuous tuning of the peak gain wavelength of the amplifier. SOAs has a more rapid gain response ,which is in the order of 1 to 100ps.

Erbium-doped fibre amplifiers

The erbium-doped fibre amplifier (EDFA) is the most deployed fibre amplifier as its amplification window coincides with the third transmission window of silica-based optical fibre.
Two bands have developed in the third transmission window – the Conventional, or C-band, from approximately 1525 nm – 1565 nm, and the Long, or L-band, from approximately 1570 nm to 1610 nm. Both of these bands can be amplified by EDFAs, but it is normal to use two different amplifiers, each optimized for one of the bands.
The principal difference between C- and L-band amplifiers is that a longer length of doped fibre is used in L-band amplifiers. The longer length of fibre allows a lower inversion level to be used, thereby giving at longer wavelengths (due to the band-structure of Erbium in silica) while still providing a useful amount of gain.
EDFAs have two commonly-used pumping bands – 980 nm and 1480 nm. The 980 nm band has a higher absorption cross-section and is generally used where low-noise performance is required. The absorption band is relatively narrow and so wavelength stabilised laser sources are typically needed. The 1480 nm band has a lower, but broader, absorption cross-section and is generally used for higher power amplifiers. A combination of 980 nm and 1480 nm pumping is generally utilised in amplifiers.
The optical fiber amplifier was invented by H. J. Shaw and Michel Digonnet at Stanford University, California, in the early 1980s. The EDFA was first demonstrated several years later [1] by a group including David N. Payne, R. Mears, and L. Reekie, from the University of Southampton and a group from AT&T Bell Laboratories, E. Desurvire, P. Becker, and J. Simpson.[2]
[edit] Doped fibre amplifiers for other wavelength rangesThulium doped fibre amplifiers have been used in the S-band (1450–1490 nm) and Praseodymium doped amplifiers in the 1300 nm region. However, those regions have not seen any significant commercial use so far and so those amplifiers have not been the subject of as much development as the EDFA. However, Ytterbium doped fiber lasers and amplifiers, operating near 1 micrometre wavelength, have many applications in industrial processing of materials, as these devices can be made with extremely high output power (tens of kilowatts).